Para entender las causas del ruido 1/f en transistores MOS se presentan las teorías que describen su origen físico, a saber, la teoría de Mc Whorter y la teoría de Hooge. De esa comprensión se revisan los modelos analíticos del ruido 1/f reportados en la literatura, los cuales intentan correlacionar los resultados experimentales, pues esos modelos están basados en la aproximación de gran canal. Se presenta, además, una descripción de los modelos de simulación Spice, y se concluye que esos modelos también están basados en la teoría de dispositivos de gran canal. Por lo tanto, si la longitud del transistor debe incrementarse para minimizar el ruido 1/f, es de interés conocer qué otros parámetros están bajo el control del diseñador, y qué técnica de diseño permite minimizar la magnitud de la potencia espectral de ruido. Se ofrecen resultados de simulación que muestran el desempeño del ruido ante variaciones de la longitud de canal, L, y del exponente de la frecuencia, β.

Sandoval Ibarra, F., Melchor Hernández, N. & Ortega Cisneros, S. (2013). Análisis, modelado y simulación del ruido flicker en transistores MOS. Acta Universitaria, 23(5), pp. 20-26.