En este trabajo se presenta el estudio de fotoluminiscencia a 80 K e investigación de espectroscopia de fotoluminiscencia de barrido del estado base y de varios estados excitados a 80 y 300 K en puntos cuánticos (QD) de InAs embebidos en estructuras simétricas In0.15Ga0.85As/GaAs de pozos cuánticos (QW) creadas a diferentes temperaturas de crecimiento de QD. Se muestra que algunas de las estructuras investigadas   presentan una variación espacial de largo alcance del tamaño promedio de los QD a través de la muestra. Esta falta de homogeneidad de largo alcance en el tamaño de los QD se utilizó para la investigación de la energía de los estados multiexcitados con la energía del estado base (o tamaño del QD). Los resultados experimentales se compararon con la tendencia de la energía del nivel electrón-hueco en comparación con el tamaño de los QD predicho teóricamente en la base de la aproximación de las ocho bandas k.p. Cierta correlación entre los resultados experimentales y teóricos han sido revelados y se discuten.

Velázquez Lozada, R., Quino Cerdan, J. M. & Espinosa Cisneros, J. I. (2012). Ground and Excited States Energy in InAs Quantum Dots in a Well InGaAs/GaAs Structures. Científica: La Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica, 16(3), pp. 107-110.