Este artículo presenta una propuesta de solución de la ecuación de difusión ambipolar (ADE, por su siglas en inglés) para la simulación del diodo PiN en carburo de silicio. La propuesta se basa en el cálculo de la longitud de difusión ambipolar como una función de las cargas desarrolladas en la región de bajo dopado. Mediante esta metodología se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciales que simulan los principales fenómenos físicos asociados al dispositivo semiconductor. Las ecuaciones, implementadas en el simulador eléctrico, modelan el comportamiento de la dinámica de cargas en la región N- de un diodo PiN. El modelo del diodo es desarrollado en Pspice y permite simular su comportamiento estático, en encendido y en apagado con dependencia de la temperatura.

Hernández González, L. et al. (2009). Solución aproximada de la ADE basada en la longitud de difusión aplicada en la simulación del diodo SiC PiN. Científica: La Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica, 13(2), pp. 55-62.